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2dsemiconductors MBE-MoS2说明书
2dsemiconductors代理——上海起发
分子束外延 (MBE) 生长被认为是用于外延合成高质量光学、电子、量子和热级材料的最复杂的技术之一。这项技术的真正威力来自于我们能够将非常少量的原子（低至每秒 5 个原子）发送到原子级平面基板上以达到高结晶度。整个生长过程在低至 1E-9 Torr 的压力下进行，以创造出高质量和纯净的材料。
目前，我们的团队在我们的两个 MBE 沉积室中将 MoS2、MoSe2、WS2 和 WSe2 单层膜提供到蓝宝石上。在不久的将来，我们的沉积团队将在石墨和金等导电基材上提供这些材料，用于扫描隧道显微镜 (STM) 研究。我们设想在 2019 年发布新的 MBE 生长材料，包括 SnS2、SnSe2、PtS2、PtSe2、PdS2、PdSe2、ZrS2 和 ZrSe2。在 2020 年初，我们公司打算发布 MBE 生长的量子材料，用于更先进的测量和测试。
MBE、CVD 和 MOCVD 生长样品之间的平均结构比较
一个分子束外延 (MBE) 生长的 MoS2 单分子层。MBE 是一种用于单晶质量薄膜沉积的外延方法，与化学气相沉积 (CVD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 技术相比，它提供了高结晶度和降低的缺陷密度（参见下面的 HRTEM 图像）。MoS2 单层的 MBE 生长发生在 MBE 室中，基础压力为 8E-9 Torr，沉积速率极慢（每秒 5-100 个原子）以达到结构。典型的 MBE 生长在双面抛光 c 切割蓝宝石上产生单层厚的 MoS2 隔离三角形。目前，MBE MoS2 仅在蓝宝石基板上提供，但在不久的将来，我们的 MBE 基板还将包括云母、石墨和金。
MBE、CVD、MOCVD的比较
MBE、CVD和MOCVD之间的TEM比较
从 MBE MoS2 收集的光学图像
MBE MoS2 悬浮在 TEM 网格上
从 MBE MoS2 收集的 PL 光谱
从 MBE MoS2 收集的拉曼光谱
样本属性
| 样本量 | 1cm x 1cm 方形 |
| 基板类型 | 双面抛光 C 形切割蓝宝石 |
| 覆盖范围 | 孤立的三角形，但可能达到一定的连续性 |
| 电气特性 | 直接间隙激子半导体 |
| 晶体结构 | 六角相 |
| 晶胞参数 | a = b = 0.33 nm，c = 1.292 nm，α = β = 90°，γ = 120° |
| 生产方法 | 分子束外延 (MBE) |
| 表征方法 | 拉曼、光致发光、TEM、XRD 等 |
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